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第三代半導體，距離頂流差了什么

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場(chǎng)規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀元

近年來(lái)，隨著(zhù)科技的不斷進(jìn)步和全球對綠色低碳發(fā)展的需求日益增長(cháng)，半導體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續深耕，通過(guò)戰略布局、技術(shù)創(chuàng )新、市場(chǎng)應用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì )期間舉辦了一場(chǎng)專(zhuān)門(mén)的氮化鎵新品媒體溝通會(huì )，會(huì )上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著(zhù)優(yōu)勢體現在節能、成本節約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅?zhuān)ㄟ^(guò)實(shí)現極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現了數量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進(jìn)了系統性
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氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉換器和驅動(dòng)器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)。公司將為無(wú)線(xiàn)基礎設施、軍事和衛星通信應用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線(xiàn)并實(shí)現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場(chǎng)供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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純晶圓代工廠(chǎng)格芯收獲一家GaN研發(fā)商

7月1日，純晶圓代工廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無(wú)晶圓廠(chǎng)公司Tagore成立于2011年1月，旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術(shù)，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進(jìn)一步鞏固公司對大規模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢，可幫助數據中心滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的電力需求，
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臺達電子與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，瞄準GaN

6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商德州儀器（TI）成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長(cháng)期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng )新技術(shù)，強化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執行副總裁及電動(dòng)車(chē)方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示：“透過(guò)與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，運用TI在數位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗與技術(shù)優(yōu)勢，提升電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術(shù)交流及合作，以更具前瞻
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GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)

根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復合年增長(cháng) (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無(wú)到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場(chǎng)成長(cháng)則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著(zhù)GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競爭格局或將被改寫(xiě)。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”，五年后
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德州儀器推出先進(jìn)的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率?！? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅動(dòng)器應用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調 (HVAC) 系統時(shí)通常面臨的許多設
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漲知識！氮化鎵（GaN）器件結構與制造工藝

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結構的不同，本文通過(guò)深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進(jìn)行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說(shuō)明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN HEMT是基于A(yíng)lGaN/GaN異質(zhì)結，目前市面上還未出現G
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純化合物半導體代工廠(chǎng)推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結合了多項改進(jìn)，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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CGD為電機控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開(kāi)發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無(wú)刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤(pán)技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開(kāi)發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現對潛在客戶(hù)的聯(lián)合訪(fǎng)問(wèn)和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團隊，在開(kāi)發(fā)電力解決方案方面有著(zhù)非常豐富的經(jīng)驗
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門(mén)。此次收購將為該公司專(zhuān)有的PowiGaN?技術(shù)的持續開(kāi)發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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